上证报中国证券网讯（记者 李兴彩）9月4日，由中国电子专用开发工业协会与上海证券报·中国证券网议论支配的第十三届半导体开发与中枢部件及材料展（CSEAC 2025）半导体制造与开发及中枢部件董事长论坛（下称“董事长论坛”）在无锡市举行。

　　“AI快速发展，AI芯片封装时汲取的CoWoS工艺顶用到了各式各类的开发和工艺，临时键合是其中垂危的一种。”在本次论坛上，苏斯中国区总司理龚里围绕AI算力给键合开发带来的新发展机遇，发表了主题演讲。

　　AI大模子及生成式AI快速发展，不停推升对AI算力芯片的需求。HBM凭借高带宽、低功耗等特点，成为AI芯片性能随性的中枢组件，引颈先进封装和3D堆叠时刻发展，从而给后说念封装开发带来激增的需求，键合开发最初受益。

　　由于在CoWoS工艺中晶圆均需要减薄，是以临时键合工艺起到特别垂危的作用。存储芯片的减薄、硅接板的减薄等等，均需要用临时键合来已毕晶圆的传送。

　　“减薄后的芯片堆叠在一说念已毕HBM模块，正资格着从低层数向高层数堆叠的快速演进。当今堆叠到了12层，来岁可能达到16层，后年可能达到20层，这将奏凯开动键合工艺的升级换代。”龚里先容，在当今HBM3制造中，主要依赖于微凸块（Micro Bump）时刻，热压键合（TCB）是存储芯片堆叠的主流工艺。羼杂键合能够已毕更高的集成密度和更低的功耗，在互联密度、速率、带宽密度、能耗以及散热效果方面均优于传统TCB。苏斯公司也会深度参与羼杂键合的工艺，成为开发的主要供应商之一。

　　据摩根大通掂量，HBM TCB开发商场界限将从2024年的4.61亿好意思元大幅增长，到2027年有望随性15亿好意思元，已毕超两倍的推广。Yole数据裸露，2024年羼杂键合开发商场增速达67%，其在HBM商场的渗入率将从2025年的1%跃升至2028年的36%，对应商场界限从900万好意思元爆发式增长至8.73亿好意思元，年复合增长率超150%。

　　“在AI算力居品中英伟达模块的占比是80%，苏斯深度参与HBM3、HBM3e的临时键合息争键合工艺。” 龚里先容，在CoWoS先进封装的键合息争键合工艺中，不仅要处分开发工艺问题，还要处分各式材料、清洗问题，其中最大的挑战有三点：一是涂胶均匀准确，CMP磨片后才会平整，从而能有好的产量；二是临时键合完成后，要清洗绝对，本事保证后续的制品率；三是键合时的瞄准特别垂危。

　　龚里先容，苏斯有四大居品线，其中光刻机、涂胶显影和键合（包括临时键合、长期键合和羼杂键合）开发齐深度受益于先进封装发展；另外一个居品线掩膜清洗开发，则在世界具有把持上风。

　　苏斯建树于1949年，当今在世界有1500名职工，安设了8000台（套）开发，年产值卓越4亿欧元。苏斯在亚洲的业务占到营收的80%，其中中国大陆和中国台湾的业务统共占比达60%。当今，苏斯在中国大陆有70名职工。

　　此外，龚里还共享了铜纳米线在先进封装中濒临的新机遇。他先容，现时的先进封装中汲取的是铜互联时刻篮球买球下单平台，要是把铜互联的凸点制作成粗细30nm到100nm的铜纳米线，改日大致不错室温或低温下完成TCB焊合，并将封装中的引线键合工艺省却，从而节俭无数资本。